Localized spins in solids

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Stages L3
Stages M1 ICFP

Actualités : Séminaire de Recherche ICFP
du 14 au 18 novembre 2022 :

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Contact - Secrétariat de l’enseignement :
Tél : 01 44 32 35 60
enseignement@phys.ens.fr

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Responsable : Gabriel Hétet (MCF ENS, LPENS)

Enseignants : Gabriel Hétet (MCF ENS, LPENS), Nathalie Vast (DR CEA, LSI), Emmanuel Giner (CR CNRS, Sorbonne Université, LCT)

nombre d’ECTS : 3

Langue d’enseignement : Anglais

Evaluation : Examen écrit L361 9am-12.30pm

Descriptif
The objective of this course is to cover the background
required to understand one major system in future quantumbased
technologies in the solid state, namely localized spins of
atoms embedded in a solid state matrix.
It will also provide key notions on central theories in solid state
physics (theory of group representations, defect formation,
crystal field theory, spin-relaxation in crystals). These
concepts will be illustrated by experimental tools and by a
presentation of the currently employed material platforms.
Outline of the course :
I- Theory of group representations (CM : 6h, TD : 2h)
Group representation with application to quantum mechanics for point defects in
crystals.

II- Stability of localized defects in crystals (CM : 4h, TD : 2h)
Formation energy. Deep/shallow defects in semi-conductors.
Thermodynamics (diffusion), charge states transfer.

III- Electronic structure / spin relaxation in solids (CM : 8h, TD : 6h)
- Wigner-Eckart theorem for rotation groups : spin Hamiltonian in crystals.
- Orbital momentum quenching of spin defects
- Spin-orbit interactions in crystals (g-tensor), zero-field splitting …
- “Spin-temperature” : phonon relaxation.

IV- Solid state platforms for quantum technologies (CM : 2h)
Applications of the course to studies of novel defects : NV/SiV/GeV centers in
diamonds, rare earth doped crystals…

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